写入组合：避免在写入之前读取哪条缓存行？

Question

关于非临时写和写结合的技术，我已经将它写在

总结如下代码

void setbytes(char *p, int c) 
{ 
__m128i i = _mm_set_epi8(c, c, c, c, 
c, c, c, c, 
c, c, c, c, 
c, c, c, c); 
_mm_stream_si128((__m128i *)&p[0], i); 
_mm_stream_si128((__m128i *)&p[16], i); 
_mm_stream_si128((__m128i *)&p[32], i); 
_mm_stream_si128((__m128i *)&p[48], i); 
} 

从here

拍摄，该代码序列不仅避免在读取高速缓存 线被写之前，它也避免了污染缓存，这可能不是可能很快就需要 数据。这在 某些情况下可以有很大的好处。

我的问题是：避免其高速缓存行写？用于存储i变量或p指针指向的缓存行的内容的缓存行（之后会被修改）？

Answer 1

约：“避免在读取高速缓存行之前，它被写入”

这种说法是指“写分配”政策，用于处理命中缓存写入。所有现代的x86处理器都这样做。它是这样的：软件使用正常的mov指令写入内存。如果该地址已经被缓存，则缓存被更新并且根本没有DRAM存取。但是，如果数据不在缓存中，则处理器从DRAM中读取该缓存行。然后，来自mov指令的数据被合并到缓存中的数据中。处理器将尽可能延迟将数据写回DRAM。最终结果是违反直觉的：软件执行写入（mov）指令，并且产生单个DRAM读取（突发）。如果重复这种模式，缓存将最终变满，并且需要逐出才能为读取留出空间。在这种情况下，将会有一个不相关的缓存行地址的DRAM写入突发，然后读取软件正在写入的地址。这解释了为什么非暂时性商店给予大约2倍的填充大缓冲区的性能。与使用mov填充缓冲区相比，只有一半的DRAM访问发生。

Answer 2

流防止缓存污染的，如果目的地的地址是不是已经在缓存中，否则，它只是更新并根据需要用书面通过缓存行支持的地址的新值缓存。

在你的榜样

所以，如果你还没有从p读取（或你已经从CLFLUSH缓存中清除它），流媒体商店将防止数据被写入到其中被加载到缓存中的地址p点通过p指出，（即：无cachline的将用于写入地址来创建）。