我有一个内存是4字节行的列。我只能写它在16个字节和读取是在4个字节(逐行,即是)使用I2C完成。写入EEPROM的算法?
我对如何将数据写入EEPROM感兴趣:正在写入的数据由几个不同的部分组成,其中两个部分的长度可变。例如,我可以有XYYZ或XYYYYZZZZZZZ,其中每个字母是4个字节。
我的问题是,我应该如何解决这个问题,以便使用16字节的写入方式将消息写入内存,以适应这两部分的变量性质?
我有一个内存是4字节行的列。我只能写它在16个字节和读取是在4个字节(逐行,即是)使用I2C完成。写入EEPROM的算法?
我对如何将数据写入EEPROM感兴趣:正在写入的数据由几个不同的部分组成,其中两个部分的长度可变。例如,我可以有XYYZ或XYYYYZZZZZZZ,其中每个字母是4个字节。
我的问题是,我应该如何解决这个问题,以便使用16字节的写入方式将消息写入内存,以适应这两部分的变量性质?
未针对您的示例量身打造,完全未经测试,依靠“从EEPROM中读取4个字节”和“将16个字节写入EEPROM”封装在合适的功能中。
void write_to_eeprom(uint32_t start, size_t len, uint8_t *data) {
uint32_t eeprom_dst = start & 0xfffffff0;
uint8_t buffer[16];
ssize_t data_offset;
for (data_offset = (start - eeprom_dst); data_offset < len; data_offset += 16, eeprom_dst+= 16) {
if (data_offset < 0) || ((len - data_offset) < 16) {
// we need to fill our buffer with EEPROM data
read_from_eeprom(eeprom_dst, buffer); // read 4 bytes, place at ptr
read_from_eeprom(eeprom_dst+4, buffer+4);
read_from_eeprom(eeprom_dst+8, buffer+8);
read_from_eeprom(eeprom_dst+12, buffer+12);
for (int buf_ix=0, ssize_t tmp_offset = data_offset; buf_ix < 16; buf_ix++, offset++) {
if ((offset >= 0) && (buf_ix < 16)) {
// We want to copy actual data
buffer[buf_ix] = data[offset];
}
}
} else {
// We don't need to cater for edge cases and can simply shift
// 16 bytes into our tmp buffer.
for (int ix = 0; ix < 16; ix++) {
buffer[ix] = data[data_offset + ix];
}
}
write_to_eeprom(eeprom_dst, buffer);
}
}
与其尝试以4或16字节单位工作,您可以考虑使用一个小的(21字节)静态缓存来存储eeprom。让我们假设你有
void eeprom_read16(uint32_t page, uint8_t *data);
void eeprom_write16(uint32_t page, const uint8_t *data);
其中page
是除以16的地址,并始终在16分字节块操作。本身和它的初始化函数(你会在上电时调用一次)高速缓存将
static uint32_t eeprom_page; /* uint16_t suffices for 2 MiB EEPROM */
static uint8_t eeprom_cache[16];
static uint8_t eeprom_dirty;
static void eeprom_init(void)
{
eeprom_page = 0x80000000U; /* "None", at 32 GiB */
eeprom_dirty = 0;
}
static void eeprom_flush(void)
{
if (eeprom_dirty) {
eeprom_write16(eeprom_page, eeprom_cache);
eeprom_dirty = 0;
}
}
时才需要eeprom_flush()
功能,如果你希望确保一些数据被存储在EEPROM - 基本上,后每个完整的交易。您可以随时调用它。
要访问EEPROM中的任何内存,使用访问函数
static inline uint8_t eeprom_get(const uint32_t address)
{
const uint32_t page = address >> 4;
if (page != eeprom_page) {
if (eeprom_dirty) {
eeprom_write(eeprom_page, eeprom_cache);
eeprom_dirty = 0;
}
eeprom_read(page, eeprom_cache);
eeprom_page = page;
}
return eeprom_cache[address % 0xFU];
}
static inline void eeprom_set(const uint32_t address, const uint8_t value)
{
const uint32_t page = address >> 4;
if (page != eeprom_page) {
if (eeprom_dirty) {
eeprom_write(eeprom_page, eeprom_cache);
eeprom_dirty = 0;
}
eeprom_read(page, eeprom_cache);
eeprom_page = page;
}
eeprom_dirty = 1;
eeprom_cache[address % 0xFU] = value;
}
随意省略inline
如果你喜欢;这只是一个优化。上面的static inline
告诉C99编译器在可能的情况下内联函数。它可能会增加您的代码大小,但它应该会产生更快的代码(因为编译器可以在将这些小函数内联到代码中时进行更好的优化)。
请注意,您不应该在中断处理程序中使用上述内容,因为没有为eeprom页面准备正常的代码以更改中间操作。
您可以混合使用读取和写入操作,但这可能会导致EEPROM上不必要的磨损。当然,如果您混合读取和写入,则可以将读取和写入两边分开来分隔缓存。这也可以让你安全地从中断环境中进行EEPROM读操作(尽管I2C访问的延迟/延迟可能会造成其他地方的严重破坏)。