我一直在研究Arduino（ATMega328p）原型，它必须在某些事件中记录数据。 LSM6DS33传感器用于以104 Hz的采样率生成6个值（每个2个字节）。这些数据需要记录500-20000ms。如何防止在记录期间SD卡创建写入延迟？
在我的代码中，我使用Timer1每1/104秒产生一个中断。发生此中断时，将从传感器读取数据，进行校准，然后写入SD卡。通常情况下，这不是问题。从传感器读取数据需要约3350us，校准〜5us并写入〜550us。这意味着整个循环需要约4000us，而9615us可用。
为了节省电力，我希望降低电压到3.3V。根据atmel数据表，这也意味着时钟频率应该降至8MHz。假设一切都会慢两倍，测量周期仍然是可能的，因为〜8000us < 9615us。
然而，经过一些测试（仍然是5V @ 16MHz）后，我发现写一个周期需要约1880us而不是约550us。我正在使用库SdFat编写和测试SD卡（RawWrite示例）。以下结果出来时，我测试的卡：
开始原始写入的100000 KB
目标速率：100 KB /秒
目标时间：100秒
闵块写入时间：1244百万分之一
最大块写时间：12324万分之一
平均块写入时间：1247万分之一
正如所看到的，写的平均时间是相当一致的，但有时10倍平均峰值时间发生！根据库的作者，这是因为SD卡在x个写入周期之间需要一些擦除周期。这会导致写入延迟（src:post#18）。然而，这种延迟将周期从可用的9615us支架中抽出所需的时间，因为总的测量周期将是10672us。
我想写的数据，使用的sprintf首次投入一个字符串：
char buf[20] = "";
sprintf(buf,"%li\t%li\t%li\t%li\t%li\t%li",rawData[0],rawData[1],rawData[2],rawData[3],rawData[4],rawData[5]);
myLog.println(buf);
这将数据写入到一个txt文件。但以我的速度，只有21 * 104 = 2184 B/s就足够了。将RawWrite示例的速度降低至6 KB/s，会导致SD卡写入而不会延长写入延迟。然而我的代码仍然有它们，即使写入的数据较少。
我的问题是：如何防止发生延迟（如果可能）？如果不可能，我该如何解决它？如果我明白为什么发生延迟，这将有所帮助，因为间隔不总是相同的（每10-15次写入）。
一些附加信息：
草图当前使用变量的69％的RAM（2kB）。创建两个512字节缓冲区 - 就像在同一个论坛中建议的那样 - 对我来说是不可能的。
最初，我使用了两个字符串。将它们合并为一个并不影响写入速度，具有任何意义。
擦除延迟是SD卡固有的。如果已满，您可能会预计更长的延迟。另外，如果细胞老化，他们需要花更长的时间来擦写。虽然你的问题太广泛了（我们不是咨询网站），但缓冲可能会有所帮助，但正如你所说你的RAM处于边缘，也许Arduino（至少基于ATmega的）不适合你的项目。最后：Arduino是**不** **。不要垃圾标签。 – Olaf
如果性能很重要，为什么要将值转换为字符串并写入文本？这需要更多的空间和更多的时间。 –
@AndrewHenle：虽然我同意在如此小的平台上使用'printf'等是一个好主意，但它似乎并不是主要问题。它不会避开SD卡摊位。 – Olaf