如何读取/写入

Question

我想读，并根据下表写从/到unsigned char类型一个unsigned char型的特定位：

例如我有以下变数：

unsigned char hsi_div = 0x01; /* HSI/2 */ 
unsigned char cpu_div = 0x05; /* Fmaster/32 */ 

我想写hsi_div对位4,3和cpu_div要位2,1,0（想象整个焦炭名为CLK_DIVR）：

CLK_DIVR |= hsi_div << 4; //not correct! 
CLK_DIVR |= cpu_div << 2; //not correct! 

并让说我想读回寄存器，以确保我做到了正确：

if(((CLK_DIVR << 4) - 1) & hsi_div)) { /* SET OK */ } 
if(((CLK_DIVR << 2) - 1) & cpu_div)) { /* SET OK */ } 

我的按位操作有什么问题！？我没有得到正确的行为。

Answer 1

我假设CLK_DIVR是一个硬件外设寄存器，应该是合格的volatile。这些寄存器应尽可能少地写入。您更改所有可写位，所以只需

CLK_DIVR = (uint8_t)((hsi_div << 3) | (cpu_div << 0)); 

注意使用固定宽度类型。这使得提到它是一个8位寄存器是不必要的。根据摘录，高位是只读的，所以在写入时不会改变。该转换可防止编译器发出截断警告，该警告是始终启用的推荐警告之一（包含在gcc的-Wconversion中）。

移位数实际上是字段开始的位（LSbit）。移位计数0表示“不移位”，因此不需要移位运算符。我仍然用它来澄清我的意思是该字段从0开始。让编译器优化，集中精力编写可维护的代码。

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注意：您的代码位或已存在于寄存器中的任何代码。位或只能设置位，但不能清除它们。此外，轮班计数是错误的。

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不知道，但如果摘录是一个ARM的Cortex-M CPU（STM32Fxxxx？），从而减少了外部总线周期变得更加重要，因为ARM能参加的访问相当长的一段周期。

Answer 2

对于HSIDIV位字段要：

hw_register = (hw_register & 0x18) | (hsi_value & 0x03) << 0x03; 

这将掩盖值到2个比特宽然后转移到第3位和4

的CPUDIV字段是：

hw_register = (hw_register & 0x7) | (cpu_value & 7); 

读取寄存器：

hsi_value = (hw_register & 0x18) >> 3; 
cpu_value = hw_register & 0x07; 

Answer 3

只是

CLK_DIVR |= hsi_div << 3; 
CLK_DIVR |= cpu_div << 0; 

由于hsi_div是2位的二进制，你必须把它移到三个位置跳过CPUDIV领域。 cpu_div已经在该领域的末尾。