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    我想用汇编语言编写一秒延迟循环,但我不确定循环的计数是什么,以便延迟1秒。 这是我到目前为止有: MOV R1, #count DELAY_LOOP: SUBS R1, R1, #1 BNE DELAY_LOOP 我使用的是Beaglebone黑色。提前致谢!

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    我试图用arm-linux-gnueabi和cmake编译代码。当我处于链接阶段时,我收到以下错误: arm-linux-gnueabi/bin/ld: cannot find -lz。 这是我在cmake的文件链接部分: target_link_libraries(myprogram libboost_system.a libboost_thread.a libssl.a libcrypto.a

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    我尝试为基于TI am335x soc的电路板创建裸机应用程序。我需要做的一件事就是在上升沿调用callback1,在下降沿调用callback2。从datasheet我发现,通过写入1 << pin到RISINGDETECT和FALLINGDETECT GPIO寄存器,可以同时检测上升沿和下降沿。然而,我无法理解(在数据表中看不到它的迹象),我怎么能确定当前出现的中断是由GPIO上的RISING

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    我一直在阅读Android的内核,以了解CPU内核(又名DVFS,DCVS)的动态电源管理是如何完成的。我找到的代码here可以调用以下函数(定义为here),该函数又调用SMC汇编指令。 ARM有一个解释SMC calling convention的文档,但是我没能用它来理解下面的函数。我怎样才能进一步跟踪SMC指令,根据其输入操作数了解它实际做了什么? s32 scm_call_atomic4

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    我在STM32F7上实现了LwIP。我有一个问题。当我包括 #include "lwip.h" 我得到这样的警告:冲突的类型 's32_t' 它是cc.h文件: typedef signed long s32_t; 下面是图片与问题:https://imgur.com/a/wkERF 什么是错,我该如何解决这个问题?

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    我正在使用ARM966E-S RISC-CPU,并且想知道如何使用明显可用的指令集扩展来获得更好的DSP性能。 G。一个增强的乘数指令。 我在技术参考手册中看过这些指令集扩展可用,但我不知道如何使用/激活它们。 任何人都可以帮忙吗? 在此先感谢!

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    正在使用的电路板是TM4C1294NCPDT,其想法是当按下开关1时,指示灯闪烁,然后亮起连续地(我理解那部分),并且在开关未被按下的时刻开始闪烁固定的数字,如果时间,让我们说5,那就是我的位置,当开关没有按下时,我看不到如何声明条件。 我做了一个流程图和代码。 该闪光灯1或2只是标签的指示,以打开和关闭 的led。 #include <stdbool.h> #include <stdint.h

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    我有以下简单的程序: : /usr/gcc-arm-none-eabi-5_4-2016q3/bin/arm-none-eabi-gcc -mthumb -O3 -o main.o -c main.c GCC方便地分别memcpy和memset替换循环: #define N 20 long c[N]; long a[N + N]; void f(void) { long *

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    我有HP笔记本采用以下配置 - 处理器的英特尔Core 2 Duo。 Windows - 7家庭高级版 - 32位(SP-1)。 Ram - 4GB。 没有图形卡(实际上有些内置图形支持256MB,我不确定)。 我已经安装了android studio V3.0(32位),但是当我尝试启动模拟器时(即使有arm支持),它刚刚启动并在启动后崩溃。 我得到像你的处理器不支持VT-x的错误。 (我也检查

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    所以我想了解TBB如何在Assembly中为switch语句工作。我看到它是如何写在教科书/在线手册中的,但我不明白偏移量在分支表中如何工作。 它如何从分支表转换为指令?如何扣除标签以获得正确的偏移量,以及为什么除以2? 以我教科书它说 到的程序应该 分支如下计算该指令的存储器地址: 目标= PC + 4 +( 2 * BranchTable [R0] ) 其中r0是包含分支表内偏移量的计数器。在